| 型号：BSO615N | 类别：FET - 阵列 | 制造商：Infineon Technologies |
| 封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 描述：MOSFET DUAL N-CH 60V 2.6A 8-SOIC | |
详细参数
| 类别 | FET - 阵列 |
|---|---|
| 描述 | MOSFET DUAL N-CH 60V 2.6A 8-SOIC |
| 系列 | SIPMOS® |
| 制造商 | Infineon Technologies |
| FET型 | 2 个 N 沟道（双） |
| FET特点 | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 60V |
| 电流_连续漏极（Id）0a025000C | 2.6A |
| 开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 150 毫欧 @ 2.6A，4.5V |
| Id时的Vgs（th）111最大222 | 2V @ 20µA |
| 闸电荷（Qg）0a0Vgs | 20nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）0a0Vds | 380pF @ 25V |
| 功率_最大 | 2W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装 | PG-DSO-8 |
| 包装 | 带卷 (TR) |
供应商
| 深圳市芯脉实业有限公司 | 骆0755-84507209 |
| 现代芯城（深圳）科技有限公司 | 董0755-82542579 |
| 深圳市芯柏然科技有限公司 | 欧阳0755-82533534 |
| 芯惠（深圳）电子科技有限公司 | 肖0755-82525087 |
| 深圳市和诚半导体有限公司 | 陈先生\陈小姐18929336553 |
| 深圳市华雄半导体(集团)有限公司 | 王0512-67241533 |
| 上海熠富电子科技有限公司 | 销售部15821228847 // 13764057178 // 15026993318 |
| 辉华拓展 | 杨泽鹏0755-83202411 |
| 深圳市昭兴微电子有限公司 | 林裕忠0755-23991909 |
| 北京元坤国际科技有限公司 | 何小姐086-010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791 |
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